[发明专利]一种晶硅太阳能电池有效
| 申请号: | 202110901668.3 | 申请日: | 2021-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN113629155B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
| 发明(设计)人: | 杨立功;奚琦鹏;王永峰 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
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| 地址: | 213300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种晶硅太阳能电池,其栅线电极包含:形成于掺杂导电层之上的第一金属层,形成于第一层金属层之上的介质导电层,以及形成于介质导电层之上的第二金属层;所述第一层金属层与掺杂导电层在界面处形成金属硅化物或以金属‑硅为主要成分的多元化合物;所述介质导电层为金属氮化物、碳化物、硼化物、磷化物或金属氮氧化物。本发明对晶硅光伏电池的电极接触部分进行改进,一是取代成本很高的银电极材料和高温烧结工艺,在大大降低生产成本的同时,也拓宽了低成本金属应用于晶硅光伏电池的可能性;二是与薄膜结构做金属接触时,包括异质结结构的电接触时,控制了金属扩散深度,杜绝了穿刺引起的复合增加甚至是电池的失效。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





