[发明专利]一种经氧等离子刻蚀的二氧化锆薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110893028.2 | 申请日： | 2021-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN113584450A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 吴红艳;张成远;赵科;杨欣烨;江凡 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/02;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 刘慧 |
| 地址： | 210044 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜制备技术领域，尤其是一种经氧等离子刻蚀的二氧化锆薄膜及其制备方法，现提出如下方案，其包括在基体上经过氧等离子刻蚀过的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化锆薄膜。本发明提出一种将基体先经过氧等离子刻蚀，再用磁控溅射实现二氧化锆在经过刻蚀基体上的表面沉积的方法，这种方法制备得到的二氧化锆薄膜性能好，尤其是经过等离子刻蚀后力学性能等到提升，表面粗糙度降低，同时制备方法简单，可以实现大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 氧化锆 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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