[发明专利]一种经氧等离子刻蚀的二氧化锆薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于：包括在基体上经过氧等离子刻蚀过的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化锆薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射的方式制备覆盖在所述表面侧的二氧化锆薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧等离子刻蚀的步骤包括将经过预处理后的基体放在氧等离子刻蚀机中刻蚀。

4.根据权利要求3所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧等离子刻蚀机的操作步骤包括：将经过预处理的基体放在氧等离子刻蚀机中，并对氧等离子刻蚀机进行抽真空处理，再往氧等离子刻蚀机中充入氧气和氩气，调节功率为90-110w，刻蚀时间为290-310s。

5.根据权利要求4所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧气和氩气的流量为300mL/min，氧气和氩气的流量比为1:1。

6.根据权利要求2所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的步骤包括将经过氧等离子刻蚀过基体放在磁控溅射炉中，使得靶材与基体经过氧等离子刻蚀过的表面侧极间距为9-11cm，先对磁控溅射炉抽真空，再充入流量比为10：1的氩气和氧气，保持磁控溅射炉内压强为1Pa，设定磁控溅射炉的温度为200℃，电流为2A，打开基体偏压并施加100V电压，对试样进行10分钟的预溅射。

7.根据权利要求6所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述预溅射完成后，打开直流电源，将源极电流调整到实验值150mA，对基体进行溅射，制备二氧化锆薄膜。

8.根据权利要求3所述的一种二氧化锆薄膜的制备方法，其特征在于，所述预处理的步骤包括将待刻蚀的基体放在98wt％酒精溶液中浸泡并在超声清洗机超声30分钟。

9.一种二氧化锆薄膜，其特征在于，所述二氧化锆薄膜是利用如权利要求1-8任一权利要求所述的方法制备得到的。

10.如权利要求9所述的二氧化锆薄膜在XX领域中的应用。