[发明专利]一种超离子导体结构型材料包覆高镍单晶三元材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 202110891934.9 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN113690398A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 刘攀;裴东;周双双;许国峰;李文升 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所;天津蓝天太阳科技有限公司
主分类号: H01M4/04 分类号: H01M4/04;H01M4/131;H01M4/1391;H01M4/36;H01M4/485;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525
代理公司: 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 代理人: 张倩
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种超离子导体结构型材料包覆高镍单晶三元材料的制备方法,具体步骤:称取三元前驱体、锂源化合物、掺杂元素化合物;将三者充分混合,在氧气气氛下进行高温固相烧结,得到高镍单晶一烧物料;将高镍单晶一烧物料破碎成一定粒度大小的单晶物料;将单晶物料加入到去离子水中水洗去除残余碱,经抽滤、洗涤、烘干得到高镍单晶基体材料;将超离子导体结构型材料在PEG‑400中分散得到浆料,将高镍单晶基体材料加入到浆料中进行球磨,用去离子水和乙醇清洗,并在80~100℃下真空干燥,再进行二次固相烧结,获得超离子导体结构型材料包覆的高镍单晶三元材料。本方法在不牺牲容量的前提下稳定材料表面结构,改善材料循环稳定性。
搜索关键词: 一种 离子 导体 结构 材料 包覆高镍单晶 三元 制备 方法
【主权项】:
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