[发明专利]一种具有光响应灵敏度差异的双发射态离子掺杂型量子点材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110889284.4 申请日: 2021-08-04
公开(公告)号: CN113667479B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 王连军;王建成;周蓓莹;江莞 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;B82Y20/00;B82Y40/00;B82Y30/00
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹
地址: 201600 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种具有光响应灵敏度差异的双发射态离子掺杂型量子点材料及其制备方法和应用。本发明首先通过水相合成方法制备得到离子掺杂ZnSe量子点(ZnSe:X QDs)核,再利用连续离子层吸附法进行ZnS壳层包覆,制备得到ZnSe:X/ZnS QDs。该量子点材料的本征发射和离子掺杂剂发射具有差异性的光响应灵敏度,在紫外光辐照下表现出颜色变化和光强变化的双重特征。该量子点材料在自然条件下透明无色具有隐藏性,光照下颜色变化具有瞬时性,光强变化具有可逆性。同时,该材料无毒无害,制备方法绿色环保、成本低廉。基于以上特征,ZnSe:X/ZnS QDs可作为一种设计合理、难以模仿的新型瞬时防伪材料。
搜索关键词: 一种 有光 响应 灵敏度 差异 发射 离子 掺杂 量子 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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