[发明专利]孔隙发育特征刻画方法、装置、电子设备及存储介质在审

专利信息
申请号: 202110887557.1 申请日: 2021-08-03
公开(公告)号: CN113670792A 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 张吉振;李贤庆;唐友军;李美俊;陈中红;何大祥 申请(专利权)人: 长江大学
主分类号: G01N15/08 分类号: G01N15/08
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 李平丽
地址: 430100 湖北省*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供了一种孔隙发育特征刻画方法、装置、电子设备及存储介质,其方法包括:构建页岩储层的岩石物理模型,岩石物理模型包括从下至上依次设置的层理裂隙层、有机质层、粘土矿物层和脆性矿物层;随机获取至少三个页岩样品,并根据至少三个页岩样品确定有机质层的第一微观孔隙体积、粘土矿物层的第二微观孔隙体积以及脆性矿物层的第三微观孔隙体积;基于第一微观孔隙体积确定有机质层的第一孔隙度;基于第二微观孔隙体积确定粘土矿物层的第二孔隙度;基于第三微观孔隙体积确定脆性矿物层的第三孔隙度。本发明有效刻画了有机质层、粘土矿物层和脆性矿物层中的孔隙度,从而可为页岩储层油气勘探与开发提供保障。
搜索关键词: 孔隙 发育 特征 刻画 方法 装置 电子设备 存储 介质
【主权项】:
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