[发明专利]一种集成CMOS电路的热电堆传感器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110879773.1 申请日: 2021-08-02
公开(公告)号: CN113639877A 公开(公告)日: 2021-11-12
发明(设计)人: 刘永灿;游冠军 申请(专利权)人: 无锡宏芯传感科技有限公司
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12;G01J5/14;G01J5/02;G01J5/04;G01J5/08
代理公司: 合肥方舟知识产权代理事务所(普通合伙) 34158 代理人: 朱荣
地址: 214000 江苏省无锡市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了传感器技术领域的一种集成CMOS电路的热电堆传感器,包括管座、管帽、光敏元件、引脚、滤光片、透光槽,光敏元件包括衬底、绝缘层、热电偶层、导热层、支撑部,绝缘层设于衬底上,热电偶层沿绝缘层的中心线对称设于绝缘层上表面,且绝缘层相对两侧的热电偶层端部之间具有空隙,绝缘层上设有导热槽。通过设置支撑部,能对导热层进行支撑,同时设置导热槽,能够对热电偶进行及时散热,同时设置聚光罩,能够提高滤光片的受光范围,提升光敏元件的受光效率,通过设置驱动单元驱动夹持座上下翻转,能够调节滤光片的角度,进而调节滤光片的光线折射角度,以提高光敏元件的受光精度。
搜索关键词: 一种 集成 cmos 电路 热电 传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
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