[发明专利]改善跨导的LDMOS器件结构在审
| 申请号： | 202110862381.4 | 申请日： | 2021-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN113594254A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘冬华;蔡晓晴;段文婷;令海阳 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善跨导的LDMOS器件结构。改善跨导的LDMOS器件结构包括：基底层，基底层中形成横向相邻的沟道区和漂移区，沟道区和漂移区均从基底层的上表面向下延伸；栅结构，栅结构沿着基底层的表面，跨接在沟道区和漂移区之间，其栅结构的第一端部和第二端部，分别与沟道区和漂移区重叠；在漂移区中，远离沟道区的一侧形成第一漏端掺杂区，在第一漏端掺杂区与栅结构第二端部之间的漂移区位置处，形成第一场氧层，第二端部与第一场氧层重叠；在靠近栅结构第一端部位置处的沟道区中，形成源端掺杂区；漂移区下方位置处的基底层中形成耐压提高区，耐压提高区与漂移区纵向接触。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 ldmos 器件 结构 | ||
【主权项】：
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