[发明专利]一类含有阴阳两性离子结构的特勒格碱基聚合物离子交换膜材料及其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 202110844967.8 申请日: 2021-07-26
公开(公告)号: CN113563581B 公开(公告)日: 2022-05-27
发明(设计)人: 杨延琴;孙树政 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: C08G73/06 分类号: C08G73/06;H01M50/403;H01M50/414
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一类含有阴阳两性离子结构的特勒格碱基聚合物离子交换膜材料及其制备方法和应用。该材料结构式如下,X为经阴离子取代的C1~C4烷基,该阴离子为磺酸根阴离子[‑S(=O)(=O)‑O]或羧酸根阴离子[‑C(=O)‑O],n=200~1200。该方法通过简单的“一锅法”,得到的特勒格碱聚合物膜材料在刚性主链上引入正负两性离子。本发明得到的聚合物两性离子交换膜材料同时含有正负两性离子。季铵阳离子的引入可以有效吸附锂硫电池放电过程中产生的带负电的多硫化物;带负电的磺酸基或乙酸基的引入可以增加锂离子的传输,在锂硫电池中具有良好的应用价值。
搜索关键词: 一类 含有 阴阳 两性 离子 结构 特勒格 碱基 聚合物 离子交换 材料 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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