[发明专利]一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器制作方法在审
| 申请号： | 202110837583.3 | 申请日： | 2021-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN113562687A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 邹旭东;刘振溪;陈嘉民;李志天;杨伍昊;熊兴崟;汪政 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空天信息创新研究院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 刘镜 |
| 地址： | 100089 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 发明涉及一种磁阻运动调制的低频MEMS磁阻传感器制作方法，属于磁场检测领域，解决了现有MEMS磁阻传感器两侧磁通汇聚器运动不同步导致的检测精度降低的技术问题。本申请传感器制作方法包括：在衬底上形成T型绝缘层A；在T型绝缘层A的纵向部分顶端处形成磁阻传感器MTJ；在衬底上形成磁通汇聚器，磁通汇聚器对称设置在MTJ两侧；在MTJ以及绝缘层A上覆盖一层绝缘层B，在磁通汇聚器上覆盖一层绝缘层C；在绝缘层B的纵向部分上形成压电层；刻蚀绝缘层B，露出MTJ和压电层的电极窗口；在电极窗口、压电层以及绝缘层B上形成电极层；刻蚀衬底，形成压电悬臂梁。本申请通过悬臂梁振动避免了磁通汇聚器运动不同步的问题，提高了磁场检测分辨率，能够广泛应用于低频弱磁场的检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁阻 运动 调制 低频 mems 传感器 制作方法 | ||
【主权项】：
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