[发明专利]基于非理想无磁场点的磁纳米粒子成像方法有效

专利信息
申请号: 202110824213.6 申请日: 2021-07-21
公开(公告)号: CN113534025B 公开(公告)日: 2022-06-14
发明(设计)人: 田捷;李怡濛;惠辉;张鹏 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: A61B5/0515 分类号: A61B5/0515
代理公司: 北京天汇航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11987 代理人: 黄川
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种基于非理想无磁场点(FFP)的磁纳米粒子成像方法,该方法基于非理想FFP的磁场条件,分析非理想FFP区域的SPIOs的响应以及检测线圈的电压信号特征,通过获取等效理想FFP电压信号与等效FFP移动速度,求解图像值从而得到重建结果。该方法减少了因为实际MPI仪器中FFP不是理想无磁场区域对图像重建产生的伪影与相位误差,弥补了传统重建方法忽略实际非理想FFP情况进行重建的不足,极大提高重建质量与分辨率。
搜索关键词: 基于 理想 磁场 纳米 粒子 成像 方法
【主权项】:
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