[发明专利]OPC模型仿真方法在审
| 申请号： | 202110817797.4 | 申请日： | 2021-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN113591290A | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 金晓亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F111/06;G06F111/10 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种OPC模型仿真方法，包括：步骤一、建立精度判断函数，精度判断函数由数据集中的各数据点对应的OPC模型的仿真点和晶圆上的实际点的差值的平方乘以权重后相叠加形成；步骤二、进行数据随机采样，包括：形成分布式计算节点；随机分发数据到各计算节点，同时给每个计算节点分配由各拟合参量组成的拟合参量空间的当前状态值；计算各计算节点的局部精度判断函数；步骤三、采用分布式计算节点并行计算各局部精度判断函数的梯度，计算各局部精度判断函数的梯度的一阶导数和一阶近似值；步骤四、进行梯度的合成和迭代。本发明能在光刻工艺的复杂度和拟合精度提高的条件下提高拟合效率。 | ||
| 搜索关键词： | opc 模型 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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