[发明专利]一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法有效
| 申请号： | 202110811932.4 | 申请日： | 2021-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN113528136B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 胡国华;林霖霞;黄磊;王均耀;恽斌峰;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C09K11/68 | 分类号： | C09K11/68;C09K11/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 吴旭 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于悬空氮化硅薄膜增强二硫化钼荧光的方法，用二硫化钼作为发光材料，悬空氮化硅薄膜作为衬底，在氮化硅薄膜背面镀银并刻蚀纳米阵列。通过银纳米阵列激发表面等离子激元产生双共振，增加二硫化钼光的吸收效率和量子产生效率，使二硫化钼荧光增强；悬空氮化硅薄膜的应用减少了衬底对二硫化钼的影响，进一步增强了荧光。本发明增强荧光的方法所使用的结构简单且易于加工，增强荧光的效果显著。本发明中设计的结构可应用于发光器件，通过增加电极，调节背栅电压，实现二硫化钼荧光强度的调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 悬空 氮化 薄膜 增强 二硫化钼 荧光 方法 | ||
【主权项】：
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