[发明专利]一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202110793595.0 | 申请日： | 2021-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN113675057A | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 戴庆;刘冠江;李驰;李振军 | 申请（专利权）人： | 郑州大学;国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京恒律知识产权代理有限公司 11416 | 代理人： | 庞立岩;顾珊 |
| 地址： | 450052 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法，属于真空电子器件领域，自对准石墨烯场发射栅极结构包括：衬底；绝缘层沉积在衬底上，且绝缘层在衬底上间隔设置；栅极沉积在绝缘层上；发射锥尖设置在各绝缘层之间的衬底上；石墨烯平铺在栅极上；栅压电源一极加在衬底上，另一极加在栅极上，用于在衬底和栅极之间施加不同大小的栅压，进而对石墨烯进行可控刻蚀，形成自对准的栅极孔。通过在衬底和栅极之间施加一个很小的栅压，便可在发射锥尖处形成极大的增强电场，通过改变栅压的大小来改变发射电子的数目，从而对上方石墨烯层进行可控刻蚀，最终形成自对准的栅极孔，大幅降低了栅极的调制电压，并有效提高了电子透过率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 石墨 发射 栅极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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