[发明专利]高速探测器钝化层结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110790788.0 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113707539A | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;王权兵;徐之韬;赵雪妍;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 刘敏 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高速探测器钝化层结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，可以解决目前在高速探测器钝化层结构生成过程中，无法判断是否发生蚀刻不净与过刻太多的情况，进而保证高速探测器芯片可靠性较低的技术问题。其中，高速探测器钝化层结构，包括：介质膜和第一光刻胶构成的第一钝化层结构，所述介质膜为氧化硅介质膜或氮化硅介质膜中的任意一种；或，所述第一光刻胶构成的第二钝化层结构；所述第一钝化层结构中的介质膜沉积在P台Zn扩散区之外的环形区域上，所述第一光刻胶涂覆于所述介质膜上；所述第二钝化层结构中的第一光刻胶经过第二光刻胶的蚀刻保护，涂覆于P台Zn扩散区之外的环形区域上。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 探测器 钝化 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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