[发明专利]一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用有效
| 申请号： | 202110789989.9 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113533404B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 何佳龙;杨洁;张晓宁;刘平;陈欣;赵伟;李杰;董攀;王韬;刘飞翔;石金水 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院流体物理研究所 |
| 主分类号： | G01N23/2251 | 分类号： | G01N23/2251 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 唐邦英 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘介质材料二次电子产额测试方法及应用，测试方法包括以下步骤：S1、采用脉冲电子束轰击样品表面考察样品表面正电荷积聚对二次电子发射过程的影响并确定电荷中和操作的次数；S2、基于电荷中和操作的次数测定样品的二次电子产额。本发明的测试方法是基于双层栅网球形二次电子收集器；本发明的二次电子产额测试方法，可以有效对绝缘介质材料表面二次电子发射后积聚的正电荷进行补偿，防止积聚电荷影响二次电子发射带来测试误差；电荷补偿的效果不受材料二次电子产额大小以及样品厚度等因素影响，测试方法的准确性没有适用范围的限制；可以同时测得绝缘介质材料样品的真二次电子产额、背散射电子产额和总二次电子产额。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 介质 材料 二次电子 测试 方法 应用 | ||
【主权项】：
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