[发明专利]4晶体管双向异或非门CMOS集成电路及使用和连接方法有效

专利信息
申请号: 202110786068.7 申请日: 2021-07-12
公开(公告)号: CN113572471B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 靳晓诗;李天宇;刘溪 申请(专利权)人: 沈阳工业大学
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 沈阳智龙专利事务所(普通合伙) 21115 代理人: 宋铁军
地址: 110870 辽宁省沈阳*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种4晶体管双向异或非门CMOS集成电路,该电路包含:第一N型MOS晶体管NMOS;第一P型MOS晶体管PMOS;第二N型MOS晶体管NMOS;第二P型MOS晶体管PMOS;信号输入端A;信号输入端B;电源电压VDD;XNOR逻辑门输出端;第一金属导线M;第二金属导线M;第三金属导线M;第四金属导线M;精简化的异或非XNOR逻辑门电路,使集成电路的集成度在同等工艺下进一步提升;在电源电压VDD与XNOR逻辑门输出端对调的情况下依然可以输出异或非逻辑,可实现双向异或非门逻辑传输功能,为拓展集成电路功能设计提供支持。
搜索关键词: 晶体管 双向 非门 cmos 集成电路 使用 连接 方法
【主权项】:
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