[发明专利]用于在晶片中注入离子的方法和设备在审
| 申请号： | 202110780341.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN113539770A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 弗洛里安·克里彭多夫;康斯坦丁·科萨托 | 申请（专利权）人： | MI2工厂有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/05 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 杜升 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在晶片中注入离子的方法和设备，具体公开了一种方法，包括使用穿过注入过滤器(6)的离子束(2)辐照晶片(8)，该离子束(2)在第一方向和第二方向上被静电偏转，以在晶片(8)上移动离子束(2)，并且注入过滤器(6)在第二方向上移动以配合离子束(2)的运动。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 注入 离子 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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