[发明专利]一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法有效
| 申请号： | 202110779887.9 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113536723B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 孙亚宾;谢沛东;刘赟;石艳玲;李小进;顾昀浦;刘静 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学;捷捷微电（上海）科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件漏源寄生电容子电路模型及其建模方法，在本发明中，采用在漏端节点和源端节点之间加入可变电容的方法来对漏源电容Cds建模。首先结合流片器件的漏源电容电压的实测数据，利用Origin数据处理软件处理数据；然后在Origin中分析并建立电容和电压的拟合式得到对应的系数；进而在模型文件中按照格式输入相应的拟合式系数数据，得到一个完整的模型；最后利用HSPICE仿真器仿真漏源电容随漏源电压变化的结果，结果显示本发明公开的方法对漏源电容的建模相较于常规的采用二极管结电容对功率器件漏源电容建模的方法更加灵活且精准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 寄生 电容 电路 模型 及其 建模 方法 | ||
【主权项】：
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