[发明专利]基于调制区块叠加合成掩模图形的曲线型逆向光刻方法

摘要

基于调制区块叠加合成掩模图形的曲线型逆向光刻方法，采用两级划分实现掩模图形的像素化，一级划分将掩模图形离散化成粗网格，二级划分将粗网格离散化成更小的细网格。在每个粗网格中心点处施加平滑程度相同的高斯调制，调制区域为各个粗网格中心点的八邻域粗网格中心点围成的方形区块。利用一个调制矩阵控制所有高斯核的强度分布，进而控制各个调制区块内的细网格透过率，将所有调制区块叠加即可合成完整的掩模图形。以不同曝光剂量偏差和离焦量条件下光刻胶图形与目标图形之间的图形误差的加权和作为评价函数，通过优化调制矩阵间接实现掩模优化。本发明采用区块级的掩模修正，减少了优化变量维数，有效提高了掩模优化效率。