[发明专利]一种SOC芯片系统老化实验方法有效
| 申请号： | 202110777194.6 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113627109B | 公开（公告）日： | 2023-07-07 |
| 发明（设计）人： | 马卫东;张鸿;王帅;何建兵 | 申请（专利权）人： | 成都思科瑞微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/333 | 分类号： | G06F30/333;G06F115/02;G06F119/04 |
| 代理公司： | 成都三诚知识产权代理事务所(普通合伙) 51251 | 代理人： | 饶振浪 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOC芯片系统老化实验方法，通过LDO控制寄存器提高一档位输出和DCDC控制寄存器提高一档位输出的设置，使得本实验方法能够考验电路对此种变化的承受性能，从而避免在实验过程中电路发生故障，需要花费更多的时间，进一步使得本实验方法花费时间短；通过将芯片的倍频时钟频率、GIPO输入输出属性的设置配置到一个最适合芯片系统老化测试进行的状态，能够最大强度的让芯片发生老化，从而使得试验数据更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soc 芯片 系统 老化 实验 方法 | ||
【主权项】：
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