[发明专利]功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法有效
| 申请号： | 202110776525.4 | 申请日： | 2021-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN113325292B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡雨萌;徐子珂;梁帅;赵志斌 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京君有知识产权代理事务所(普通合伙) 11630 | 代理人： | 焦丽雅 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 功率半导体器件栅氧性能参数测量电路及其测量方法，包括继电器模块，信号控制端，三轴直插BNC母座，同轴直插BNC母座，绝缘插座，BIAS端子，PCB板；继电器模块包括多个继电器，多个所述控制器用于与功率半导体器件的栅极、漏极和源极连接；所述信号控制端用于接收控制继电器模块中继电器通断的信号；所述绝缘插座用于固定被测功率半导体器件；BIAS端子包括BIAS+端子和BIAS‑端子，用于施加偏置电压；所述PCB板，实现上述部件之间的电信号连接。本发明能够直观分析在器件退化过程中的栅极结构参数变化，进而分析影响栅极可靠性的因素，为器件的栅极使用及结构设计提供重要的理论指导。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 性能参数 测量 电路 及其 测量方法 | ||
【主权项】：
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