[发明专利]一种高深宽比波带片的制备方法在审
申请号: | 202110772416.5 | 申请日: | 2021-07-08 |
公开(公告)号: | CN113707357A | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 段辉高;曾沛;刘卿 | 申请(专利权)人: | 湖南大学 |
主分类号: | G21K1/06 | 分类号: | G21K1/06 |
代理公司: | 北京睿博行远知识产权代理有限公司 11297 | 代理人: | 董自亮 |
地址: | 410082 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种高深宽比波带片的制备方法,目的是高效可靠地制备高深宽比纳米级波带片。本发明首先采用电子束曝光技术得到HSQ光刻波带片图案硬掩膜,然后进行深刻蚀,将图案转移到衬底上,得到高深宽比的波带片模板,再使用原子层沉积进行材料填充,最后进行离子束抛光去除了多余的材料。该工艺可以提高纳米级波带片的深宽比,而且采用全干法工艺,提升了器件制备的可靠性,使成品率提升,适用于工业化量产。总体而言,该制备方法具有高效率、高可靠性等优点,可实现大批量、大面积的制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 高深 波带片 制备 方法 | ||
【主权项】:
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