[发明专利]高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法在审
| 申请号： | 202110767511.6 | 申请日： | 2021-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113541645A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 翟英慧;万晶;梁晓新 | 申请（专利权）人： | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H17/00 | 分类号： | H03H17/00 |
| 代理公司： | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人： | 孙茂义 |
| 地址： | 215316 江苏省苏州市昆*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法,属于微波单片机芯片中的衰减器技术领域。包括一个由T型数字衰减器组成的输入单元、一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路以及一个由Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路组成的输出单元依次连接构成，所述的输入单元的输出端与Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端相连，连接处接入一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路，所述的幅度补偿电路的衰减电路中接入补偿电容。满足了匹配要求又可以实现16dB衰减位较好的衰减性能，而且简化T型衰减结构可以减小芯片尺寸。对实现更大衰减量的设计提供了更好的思路，可以极大程度提高较大衰减量的衰减位插入损耗、衰减精度等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 低插损超 宽带 数字 衰减器 及其 补偿 方法 | ||
【主权项】：
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