[发明专利]高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法在审
申请号: | 202110767511.6 | 申请日: | 2021-07-07 |
公开(公告)号: | CN113541645A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 翟英慧;万晶;梁晓新 | 申请(专利权)人: | 昆山鸿永微波科技有限公司 |
主分类号: | H03H17/00 | 分类号: | H03H17/00 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 孙茂义 |
地址: | 215316 江苏省苏州市昆*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 低插损超 宽带 数字 衰减器 及其 补偿 方法 | ||
1.一种高精度低插损超宽带数字衰减器的补偿方法,其特征是采用Pi型衰减结构实现16dB衰减量中较大衰减部分,保证带内平坦度和附加相移性能,所述的Pi型衰减结构电路中接入补偿电容,利用电容的幅频特性对不同频率点的衰减性能实现补偿,根据不同频段不同衰减要求改变电容参数,采用T型衰减器实现较小衰减量进行补偿,增加小位补偿电路,即将T型衰减结构简化设计放在Pi型衰减结构和T型衰减结构中起到匹配电路以及补偿电路的功能,既可以补偿衰减量,同时实现良好的端口匹配性能。
2.一种高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是包括一个由T型数字衰减器组成的输入单元、一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路以及一个由Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路组成的输出单元依次连接构成,所述的输入单元的输出端与Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端相连,连接处接入一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路,所述的幅度补偿电路的衰减电路中接入补偿电容,利用电容的幅频特性对不同频率点的衰减性能实现补偿,根据不同频段不同衰减要求改变电容参数。
3.根据权利要求2所述的高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是所述的小位补偿电路由MOS管构成的可控开关电路构成。
4.根据权利要求2所述的高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是所述的补偿电容跨接在所述的Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端和输出端之间。
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