[发明专利]高精度低插损超宽带数字衰减器及其补偿方法在审

专利信息
申请号: 202110767511.6 申请日: 2021-07-07
公开(公告)号: CN113541645A 公开(公告)日: 2021-10-22
发明(设计)人: 翟英慧;万晶;梁晓新 申请(专利权)人: 昆山鸿永微波科技有限公司
主分类号: H03H17/00 分类号: H03H17/00
代理公司: 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 代理人: 孙茂义
地址: 215316 江苏省苏州市昆*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 高精度 低插损超 宽带 数字 衰减器 及其 补偿 方法
【权利要求书】:

1.一种高精度低插损超宽带数字衰减器的补偿方法,其特征是采用Pi型衰减结构实现16dB衰减量中较大衰减部分,保证带内平坦度和附加相移性能,所述的Pi型衰减结构电路中接入补偿电容,利用电容的幅频特性对不同频率点的衰减性能实现补偿,根据不同频段不同衰减要求改变电容参数,采用T型衰减器实现较小衰减量进行补偿,增加小位补偿电路,即将T型衰减结构简化设计放在Pi型衰减结构和T型衰减结构中起到匹配电路以及补偿电路的功能,既可以补偿衰减量,同时实现良好的端口匹配性能。

2.一种高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是包括一个由T型数字衰减器组成的输入单元、一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路以及一个由Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路组成的输出单元依次连接构成,所述的输入单元的输出端与Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端相连,连接处接入一个由简化T型数字衰减器组成的小位补偿电路,所述的幅度补偿电路的衰减电路中接入补偿电容,利用电容的幅频特性对不同频率点的衰减性能实现补偿,根据不同频段不同衰减要求改变电容参数。

3.根据权利要求2所述的高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是所述的小位补偿电路由MOS管构成的可控开关电路构成。

4.根据权利要求2所述的高精度低插损超宽带数字衰减器,其特征是所述的补偿电容跨接在所述的Pi型数字衰减器组成的幅度补偿电路的输入端和输出端之间。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山鸿永微波科技有限公司,未经昆山鸿永微波科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110767511.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top