[发明专利]关键尺寸在线监控结构的形成方法在审
| 申请号： | 202110760698.7 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113506759A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种关键尺寸在线监控结构的形成方法，涉及半导体制造领域。该关键尺寸在线监控结构的形成方法包括对预定膜层进行光刻和刻蚀，形成预定图形和衬垫图形，所述衬垫图形位于关键尺寸在线监控区域；通过光刻工艺形成关键尺寸在线监控结构和预定光刻图形，所述关键尺寸在线监控结构位于所述衬垫图形的表面；解决了目前关键尺寸在线监控结构在较厚膜层结构形成后的注入层次容易发生倾覆的问题；达到了改善关键尺寸在线监控结构在注入层次发生倾覆的现象，提升关键尺寸在线监控结构的稳定性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 关键 尺寸 在线 监控 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
