[发明专利]一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器有效
| 申请号： | 202110760104.2 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN113437947B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 鲍景富;龚柯源;李亚伟;梁起;吴兆辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/58 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于射频微机电系统技术领域，涉及横向激励薄膜体声波谐振器，具体提供一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，用以解决现有横向激励薄膜体声波谐振器在悬梁系绳处的侧边能量泄漏问题。本发明在Freestanding型结构或SMR布拉格反射结构的宽带活塞模式谐振器的基础上，在叉值换能器的电极指条与宽带活塞结构之间引入声子晶体作为侧边能量辐射抑制结构，并匹配设计声子晶体的具体单元结构：贯穿压电薄膜的“十”字型孔或设置于压电薄膜上的圆形金属柱，从而将声波能量约束在叉指电极对谐振腔内，即解决侧边能量泄漏问题，显著提升带内品质因数，使得本发明谐振器尤其适用于做成5G频段(N77、N78、N79等高频大带宽频段)高品质因数滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 晶体 抑制 侧边 能量 辐射 薄膜 声波 谐振器 | ||
【主权项】：
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