[发明专利]一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器

权利要求书

1.一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，包括：衬底（202），衬底上依次层叠设置的高声阻抗薄膜（204）、低声阻抗薄膜（203）、压电薄膜（201），压电薄膜上设置的叉指换能器、接地保护电极（104）；其中，所述叉指换能器位于压电薄膜（201）上表面的中心处，所述接地保护电极（104）围绕压电薄膜（201）的边缘设置、且包围所述叉指换能器，所述叉指换能器的电极指条与母线之间设置有横向宽带活塞结构（301）、叉指换能器与接地保护电极（104）之间设置有纵向宽带活塞结构（303）；其特征在于，所述叉指换能器的每一根电极指条的两侧对称设置有声子晶体（302）、并且声子晶体位于电极指条与横向宽带活塞结构（301）之间；并且，声子晶体与电极指条、声子晶体与横向宽带活塞结构之间保持相同间距。

2.按权利要求1所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声子晶体由呈阵列排布的若干个单元结构构成，所述单元结构为贯穿压电薄膜（201）、低声阻抗薄膜（203）与高声阻抗薄膜（204）的“十”字型孔。

3.一种基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，包括：衬底（202），衬底上设置的压电薄膜（201），压电薄膜上设置的叉指换能器、接地保护电极（104）；其中，所述衬底（202）的底部开设背腔，位于叉指换能器的正下方；所述叉指换能器位于压电薄膜（201）上表面的中心处，所述接地保护电极（104）围绕压电薄膜（201）的边缘设置、且包围所述叉指换能器，所述叉指换能器的电极指条与母线之间设置有横向宽带活塞结构（301）、叉指换能器与接地保护电极（104）之间设置有纵向宽带活塞结构（303）；其特征在于，所述叉指换能器的每一根电极指条的两侧对称设置有声子晶体（302）、并且声子晶体位于电极指条与横向宽带活塞结构（301）之间；并且，声子晶体与电极指条、声子晶体与横向宽带活塞结构之间保持相同间距。

4.按权利要求3所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声子晶体由呈阵列排布的若干个单元结构构成，所述单元结构为贯穿压电薄膜（201）的“十”字型孔。

5.按权利要求2或4所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声子晶体的阵列个数大小范围为长:4~16×宽:2~8。

6.按权利要求2或4所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述“十”字型孔内填充二氧化硅。

7.按权利要求1或3所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声子晶体由呈阵列排布的若干个单元结构构成，所述单元结构为设置于压电薄膜（201）上表面的圆形金属柱。

8.按权利要求7所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述圆形金属柱采用铂、钨或金刚石。

9.按权利要求7所述基于声子晶体抑制侧边能量辐射的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声子晶体的阵列个数大小范围为长:10~30×宽: 3~12。