[发明专利]一种适用于高压GaN半桥栅驱动系统的电平移位电路有效

专利信息
申请号: 202110757219.6 申请日: 2021-07-05
公开(公告)号: CN113472185B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 明鑫;刘媛媛;宫新策;吴之久;林治屹;王卓;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M1/088
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 孙一峰
地址: 611731 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明属于电源管理技术领域,具体是涉及一种适用于高压GaN半桥栅驱动系统的电平移位电路。本发明的方案特点是采用由MP1和MP6组成的latch电路和二极管对相应电源轨的放电实现高CMTI能力,通过电流模加电流比较的形式实现电压信号在不同电压域的高速转换,实现了适用于高压GaN半桥栅驱动系统的电平位移电路,此电路通过调整传统电平位移电路的结构实现了200V/ns的抗dV/dt能力和高速传输信号的能力,并通过锁存器电路提高输出信号的可靠性。
搜索关键词: 一种 适用于 高压 gan 半桥栅 驱动 系统 电平 移位 电路
【主权项】:
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