[发明专利]高电阻温度系数硅基超晶格半导体薄膜的设计方法在审
| 申请号： | 202110752323.6 | 申请日： | 2021-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN113486511A | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 裴晓旭 | 申请（专利权）人： | 昆山易分蓝电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 张春慧 |
| 地址： | 215323 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 高电阻温度系数硅基超晶格半导体薄膜的设计方法，包括如下步骤：S1、基于载流子浓度和迁移率理论，以能带分布为桥梁，开展超晶格结构热敏特性研究，建立电导率与温度之间的定量关系；S2、开展金属半导体热敏特性研究，结合S1中研究内容结果，分析不同的金属半导体接触对整体结构TCR的影响；S3、分析在偏置电压下能级能带的变化以及对结构TCR的影响；通过MEMS工艺，形成稳定的工艺方法制备所设计的金属半导体接触结构；通过不同条件下的电压‑电流测试曲线验证所建立的物理模型，形成高TCR超晶格结构实现方法。本发明研究硅基超晶格结构热敏特性的共性机理问题，形成高TCR超晶格材料与金属半导体接触设计方法，实现TCR更高的热敏材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 温度 系数 硅基超 晶格 半导体 薄膜 设计 方法 | ||
【主权项】：
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