[发明专利]一种局域钝化接触结构电池及其制备方法在审
申请号: | 202110749345.7 | 申请日: | 2021-07-01 |
公开(公告)号: | CN113471304A | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 潘皓 | 申请(专利权)人: | 同翎新能源(扬州)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 张迎新;史光伟 |
地址: | 225603 江苏省扬州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明公开了一种局域钝化接触结构电池及其制备方法,其技术方案要点是,包括N型硅基体,所述N型硅基体的正面设置有正电极,所述N型硅基体正面覆盖有AlOx钝化层或SiNx减反层,所述正电极穿过AlOx钝化层或SiNx减反层与发射极接触,所述N型硅基体背面设置有负电极,在其所述N型硅基体的背面制备隧穿氧化层,其中,在N型硅基体与负电极接触区域不被刻蚀形成重掺杂的n++poly层,在非电极接触区域n++poly层被刻蚀减薄成轻掺杂的n+poly层。本发明通过在非金属区域轻掺杂,减少n+poly层寄生吸收效应,提高短路电流;在金属区域重掺杂,降低金属接触复合及接触电阻,提升开路电压及填充因子,进一步提高电池效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 局域 钝化 接触 结构 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于同翎新能源(扬州)有限公司,未经同翎新能源(扬州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110749345.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种拖动扭矩控制方法及系统
- 下一篇:一种雾化器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的