[发明专利]一种纳米晶软磁传感器加工方法在审

专利信息
申请号: 202110742532.2 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN113462979A 公开(公告)日: 2021-10-01
发明(设计)人: 唐书辉 申请(专利权)人: 贵州鑫湄纳米科技有限公司
主分类号: C22C38/02 分类号: C22C38/02;C22C38/12;C22C38/16;G01R15/20;B22D11/06
代理公司: 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 代理人: 汪劲松
地址: 563000 贵州省遵义市湄*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种纳米晶软磁传感器加工方法,使用成分为:Fe为83.5~85.5wt%,Si为7~9wt%,B为1.4~2.1wt%,Cu为1.2~1.5wt%,P为0.1~0.7wt%,Nb为2.5~4wt%,V为1~2wt%的配料,在高温炉中加热后熔炼,在将熔炼融态的合金喷射到高速旋转的铜辊上,制成非晶合金的铁基纳米晶带材,将铁基纳米晶带材放入高温炉中晶化成型后,绕制线包并将引线与基础电器连接,通过使用铁基纳米晶磁性满足了高的初始磁导辛同又减少励磁电流,并且有很强的工作磁密,减少了外界杂散磁场的干扰,同时增加了传感器的磁增益系数,使得传感器输出的灵敏度得到了很大的提高,而且使得测量精度得以大大提高。
搜索关键词: 一种 纳米 晶软磁 传感器 加工 方法
【主权项】:
暂无信息
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