[发明专利]非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统有效
| 申请号： | 202110725760.9 | 申请日： | 2021-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN113447175B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李辉;王晓;姚然;刘人宽;赖伟;于仁泽;朱哲研;余越;周柏灵;何蓓 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | G01L1/25 | 分类号： | G01L1/25;G01L5/00 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 陈胜 |
| 地址： | 400044 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种非侵入式压接型功率半导体器件接触压强监测方法及系统，属于半导体器件技术领域。该系统采用由超声探头、金属垫块、弹簧、承重金属板组成的超声弹性探头测试板，根据压接型功率半导体器件封装方式及应用条件，用以放置超声探头，发射和接收超声波；采用超声脉冲发生/接收器发生超声波，同时接收超声反射波信号；采用示波器及上位机记录超声反射波信号，并计算得到压接型功率半导体器件接触面动态接触压强。本发明可以实现压接型功率半导体器件内部动态接触压强变化的精确测量，并具有非侵入式测量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 侵入 式压接型 功率 半导体器件 接触 压强 监测 方法 系统 | ||
【主权项】：
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