[发明专利]一种原位生长SiC纳米线改性SiCf

摘要

本发明公开了一种原位生长SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料的制备方法和应用，所述制备方法为将含金属镀层的石墨片与碳纤维预制体在不接触的情况下共同置于化学气相沉积炉，通过化学气相沉积于碳纤维预制体的孔隙及表面原位生长SiC纳米线，获得带SiC纳米线的SiC纤维预制体，再通过化学气相沉积获得SiC基体，即得SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料，本发明通过间接引入金属催化剂，金属催化剂呈气相扩散到SiC纤维预制体的表面以及内部孔隙，催化剂分布更加均匀，催化生长的SiC纳米线密度适中。得到的含SiC纳米线SiCf/SiC复合材料，最大压溃载荷可达1175.0N，与现有技术中的SiC纳米线改性SiCf/SiC陶瓷基复合材料相比，本发明所得管状SiCf/SiC复合材料压溃性能大幅提升。