[发明专利]一种交叉开关阵列在审
| 申请号： | 202110719581.4 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437215A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 葛宁 | 申请（专利权）人： | 特忆智能科技 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州纽瓦克市中央*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本专利声明公开了在具有在IMT中自形成通道并且使通道与RRAM中的细丝自对准的交叉开关阵列。一种示例交叉开关阵列包括:底部电极；形成在底部电极上的细丝形成层；形成在细丝形成层上的通道形成层；以及形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时，所述通道形成层被配置成在所述通道形成层内形成通道。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 开关 阵列 | ||
【主权项】：
暂无信息
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