[发明专利]一种交叉开关阵列在审
| 申请号： | 202110719581.4 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113437215A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 葛宁 | 申请（专利权）人： | 特忆智能科技 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京开阳星知识产权代理有限公司 11710 | 代理人： | 安伟 |
| 地址： | 美国加利福尼亚州纽瓦克市中央*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 交叉 开关 阵列 | ||
1.一种交叉开关阵列，其特征在于，包括：底部电极；以及在底部电极上形成细丝形成层；在细丝形成层上形成的通道形成层；和形成在所述通道形成层上的顶部电极，其中，所述细丝形成层被配置成在所述细丝形成层内形成细丝，并且所述通道形成层被配置成当在所述细丝形成层和所述通道形成层上施加开关电压时在所述通道形成层内形成通道。
2.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述细丝形成层的材料包括TaOx(其中x≤2.5)、HfOx(其中x≤2.0)、TiOx(其中x≤2.0)或它们的组合。
3.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，所述通道形成层的材料包括Nb2O5、NbO2、V2O5、VO2、Ti2O3、Ti3O5、LaCoO3、SmNiO3或其组合。
4.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述底部电极和/或所述顶部电极的材料包括Pd、Pt、Ir、W、Ta、Hf、Nb、V、Ti、TiN、TaN、NbN或其组合、合金或其他导电材料。
5.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述通道的材料包括VO2、NbO2、V2O5/VO2、Nb2O5/NbO2或其组合。
6.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述细丝的材料包括富余氧空位的材料。
7.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述通道形成层包括IMT，莫特跃迁或NDR。
8.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述细丝形成层包括RRAM。
9.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，其中，所述通道形成层被构造为当从所述细丝形成层施加焦耳热时在所述通道形成层内形成所述通道。
10.根据权利要求1所述的交叉开关阵列，其特征在于，还包括：连接到底部电极的列线；一排导线连接到顶部电极。
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