[发明专利]以KIT-6为硅源制备正硅酸锂材料的方法及其改性、应用在审

专利信息
申请号: 202110713140.3 申请日: 2021-06-25
公开(公告)号: CN113244881A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 魏建文;贾燕飞;李誉;袁苑;耿琳琳;周小斌;廖雷 申请(专利权)人: 桂林理工大学
主分类号: B01J20/10 分类号: B01J20/10;B01J20/30;B01D53/02
代理公司: 西安知诚思迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61237 代理人: 麦春明
地址: 532100 广西壮族*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明公开了以KIT‑6为硅源制备正硅酸锂材料的方法及其改性、应用,步骤a以聚环氧乙烷‑聚环氧丙烷‑聚环氧乙烷三嵌段共聚物为模版剂,以硅酸四乙酯为硅源,合成KIT‑6介孔氧化硅前驱体;步骤b将Li2CO3与步骤a的硅前驱体按摩尔比混合于无水乙醇中并加热;步骤c将步骤b的溶液搅拌一段时间,使其混合均匀;步骤d将步骤c中的产物在一定温度下煅烧,得到Li4SiO4吸附剂材料。然后对Li4SiO4吸附剂材料通过金属阳离子共晶、碱金属碳酸盐机械及金属阳离子共晶与碱金属碳酸盐机械掺杂进行改性。吸附剂材料能在更低的煅烧温度和更短的煅烧时长内获得高纯度Li4SiO4,并且可以拓宽CO2有效吸附温度区间。
搜索关键词: kit 制备 硅酸 材料 方法 及其 改性 应用
【主权项】:
暂无信息
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