[发明专利]边缘发射的半导体激光器和这种半导体激光器的运行方法在审
| 申请号： | 202110710814.4 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN113555768A | 公开（公告）日： | 2021-10-26 |
| 发明（设计）人： | 彼得·富克斯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028;H01S5/323;H01S5/40;H01S5/30;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;支娜 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，边缘发射的半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有用于产生激光辐射(L)的有源区(22)。在半导体层序列(2)上形成用于耦合输出和/或反射激光辐射(L)的棱面(3)。直接在棱面(3)上存在用于保护棱面(3)防止损坏的保护层序列(4)。保护层序列(4)沿背离半导体层序列(2)的方向具有单晶的起始层(41)、具有至少一种14族材料的中间层(42)以及至少一个由氮化物、氧化物或氮氧化物构成的封闭层(43)。起始层(41)、中间层(42)以及封闭层(43)成对地由不同材料体系制造。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 发射 半导体激光器 这种 运行 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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