[发明专利]在半导体器件和热交换器间产生热界面键合的装置和方法在审
| 申请号： | 202110704474.4 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN113436977A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | R·B·伯顿;J·E·希瑟;R·N·杰瑞特;J·P·罗斯 | 申请（专利权）人： | 铟泰公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 魏利娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开在半导体器件和热交换器间产生热界面键合的装置和方法。将半导体管芯接合到非能动热交换器的方法可以包括：将键合增强剂施加到半导体器件上；产生组件，该组件包括设置在半导体器件上的热界面，以使热界面材料的第一主表面与半导体器件上的键合增强剂相接触，并且热交换器被设置成与热界面材料的第二主表面相接触；以及使组件回流，以使热界面将热交换器与半导体器件键合。实施例可以利用铟与非金属表面键合的能力来形成热界面，这可以通过在一个或两个接合表面上的辅助涂层来增强。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 热交换器 生热 界面 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
