[发明专利]一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极

摘要

本发明公开了一种具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极，该光电阴极自下而上由Al2O3衬底层(1)、生长在衬底上的AlN缓冲层(2)、p型超晶格AlGaN/GaN纳米线电子发射层(3)以及Cs/O激活层(4)组成。本发明采用AlGaN/GaN超晶格纳米线，设计了AlGaN与GaN材料以几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性形成多层膜结构，即形成了AlGaN/GaN超晶格，且在表面采用纳米线结构。该具有超晶格纳米线结构的GaN光电阴极能够影响电荷在此结构中的运动，并且能够克服传统薄膜光电阴极在光子吸收和电子输运方面的不足，从而改变量子效率、提高光电子的发射性能以及光电阴极的响应波段，最终提高GaN光电阴极的光电发射量子效率。