[发明专利]一种Se掺杂四方相Sr2

摘要

本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种Se掺杂四方相Sr2Bi材料及其制备方法。将Sr、Bi和Se粉末混合均匀后放入条形石英管中；将石英管升温至粉末熔化成熔融液体，将得到的熔融液体倒入加热漏包中，液体由漏包底部的小孔流入到喷嘴处雾化区域；高速喷出雾化气体，将喷嘴雾化区域流出的熔融液体冲击破碎成小颗粒的液滴，液滴急速冷却凝固后掉入到收集室中；将收集室中收集的粉末与将洗净的磨球球磨，将球磨后得到的粉末压块，得到Se掺杂四方相Sr2Bi试样。本发明获得的Se掺杂四方相Sr2Bi材料晶粒显著提高材料的电导率，尺寸细小，均匀，样品纯度高，具有广阔的应用前景。