[发明专利]一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法有效
| 申请号： | 202110683095.1 | 申请日： | 2021-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN113512764B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 万杨;吴丰顺;栾兴贺;张小伟;杨飞;黄大勇 | 申请（专利权）人： | 泰晶科技股份有限公司;华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 441300 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法，包括：双面镀膜、涂胶、双面曝光、显影、金属蚀刻、外形腐蚀、去胶、去金属、凹槽镀膜、涂胶、凹槽曝光、凹槽显影、凹槽蚀刻、凹槽去胶、第一次凹槽腐蚀、使用频率监测仪器将第一次凹槽腐蚀得到的mesa晶片进行全部测量，并将测试结果记录到计算机中，并计算出每片晶片的二次腐蚀时间，然后使用滴管依据加腐时间的先后顺序将腐蚀液滴入mesa晶片，最终腐蚀时间到达后将晶圆放入纯水中清洗烘干。本发明解决了现有石英晶圆腐蚀散差大的问题，尤其是在高频mesa晶片腐蚀生产上，同时也提高了产品量产合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 石英 wafer 腐蚀 滴定 方法 | ||
【主权项】：
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