[发明专利]一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法

权利要求书

1.一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）双面镀膜：在清洗好的石英wafer两面镀上金属Cr和Au；

2）涂胶：在石英晶圆金属表面双面涂上光刻胶；

3）双面曝光：用曝光机对涂有光刻胶的石英晶圆进行曝光，光与光刻胶会进行反应使光刻胶性质发生变化；

4）显影：用显影液将发生反应的光刻胶去除；

5）金属蚀刻：用金属蚀刻液去除金属Au和Cr；

6）外形腐蚀：用BOE腐蚀液将暴漏的水晶腐蚀掉，最终成镂空的chip，BOE腐蚀液的温度为60±1℃，腐蚀速度为0.9-1.2μm/min；

7）去胶：用剥胶液将表面的所有光刻胶去除；

8）去金属：用金属蚀刻液将所有金属去除；

9）凹槽镀膜：在腐蚀后的chip两面镀上金属Cr和Au；

10）涂胶：在腐蚀后的chip金属表面双面涂上光刻胶；

11）凹槽曝光：用曝光机对涂有光刻胶的chip进行曝光，图形是在chip上分布的长方形凹槽；

12）凹槽显影：用显影液将发生反应的光刻胶去除；

13）凹槽蚀刻：用金属蚀刻液去除凹槽内的金属Au和Cr；

14）凹槽去胶：用剥胶液将chip表面的所有光刻胶去除；

15）第一次凹槽腐蚀：用BOE腐蚀液将凹槽内的水晶腐蚀掉，BOE腐蚀液的温度为60±1℃，腐蚀速度为0.9-1.2μm/min，在腐蚀的过程中使用频率监测仪器，待腐蚀到规定腐蚀频率后取出得到带mesa晶片的石英晶圆；

16）使用频率监测仪器将步骤15）得到的mesa晶片进行全部测量，并将测试结果记录到计算机中，并计算出每片晶片的二次腐蚀时间；

17）第二次凹槽腐蚀：使用滴管依据加腐时间的先后顺序将腐蚀液滴入mesa晶片，腐蚀液为温度为20±1℃的NH₄HF₂溶液，腐蚀速度为0.1-0.15μm/min，最终腐蚀时间到达后将晶圆放入纯水中清洗烘干。

2.根据权利要求1所述的一种减小石英wafer腐蚀散差的滴定方法，其特征在于：所述步骤1）中石英wafer的尺寸为1～4寸。