[发明专利]一种TSV转接板制造方法在审
| 申请号： | 202110665874.9 | 申请日： | 2021-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN113506767A | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 晋超超;朱天成;候骏马;宋鸿蕾 | 申请（专利权）人： | 天津津航计算技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 高志瑞 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种TSV转接板制造方法，所述方法包括如下步骤：步骤一：在硅板刻蚀TSV孔；步骤二：在TSV孔的侧壁采用等离子增强化学汽相沉积方法淀积绝缘层；步骤三：在绝缘层的外表面沉积一层Ti作为阻挡层，在阻挡层外表面再沉积一层铜作为种子层；步骤四：对步骤三中的TSV孔电镀。本发明解决了现有技术中TSV深孔制造工艺的技术难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 转接 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
