[发明专利]形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统有效

专利信息
申请号: 202110663859.0 申请日: 2021-06-16
公开(公告)号: CN113823631B 公开(公告)日: 2023-06-02
发明(设计)人: K·R·帕雷克 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H10B41/35 分类号: H10B41/35;H10B41/27
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 专利申请涉及形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构,所述微电子装置结构包括:基底结构;经掺杂半导电材料,其上覆于所述基底结构;堆叠结构,其上覆于所述经掺杂半导电材料;半导电结构,其从所述基底结构内延伸穿过所述经掺杂半导电结构并进入所述堆叠结构的下部部分;单元柱结构,其与所述半导电结构水平对准且竖直地延伸穿过所述堆叠结构的上部部分;以及数字线结构,其竖直上覆于所述堆叠结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。所述微电子装置结构附接到所述额外微电子装置结构以形成组合件。移除所述基底结构和所述半导电结构的部分。接着图案化所述经掺杂半导电材料以形成耦合到所述单元柱结构的至少一个源极结构。还描述装置和系统。
搜索关键词: 形成 微电子 装置 方法 相关 电子 系统
【主权项】:
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