[发明专利]形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统

说明书

本专利申请涉及形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统。一种形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：基底结构；经掺杂半导电材料，其上覆于所述基底结构；堆叠结构，其上覆于所述经掺杂半导电材料；半导电结构，其从所述基底结构内延伸穿过所述经掺杂半导电结构并进入所述堆叠结构的下部部分；单元柱结构，其与所述半导电结构水平对准且竖直地延伸穿过所述堆叠结构的上部部分；以及数字线结构，其竖直上覆于所述堆叠结构。形成包括控制逻辑装置的额外微电子装置结构。所述微电子装置结构附接到所述额外微电子装置结构以形成组合件。移除所述基底结构和所述半导电结构的部分。接着图案化所述经掺杂半导电材料以形成耦合到所述单元柱结构的至少一个源极结构。还描述装置和系统。

相关申请的交叉引用

本申请要求2020年6月18日提交的第16/905,763号美国专利申请“形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONICDEVICES,AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”的申请日的权益，该美国专利申请与2020年6月18日提交的将Kunal R.Parekh列为发明人的第16/905,385号美国专利申请“微电子装置及相关的方法、存储器装置和电子系统(MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED METHODS,MEMORY DEVICES,AND ELECTRONICSYSTEMS)”相关。本申请还与2020年6月18日提交的将Kunal R.Parekh列为发明人的第16/905,452号美国专利申请“形成微电子装置的方法及相关的微电子装置、存储器装置、电子系统和额外方法(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATEDMICROELECTRONIC DEVICES,MEMORY DEVICES,ELECTRONIC SYSTEMS,AND ADDITIONALMETHODS)”相关。本申请还与2020年6月18日提交的将Kunal R.Parekh列为发明人的第16/905,698号美国专利申请“形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED MICROELECTRONICDEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”相关。本申请还与2020年6月18日提交的将KunalR.Parekh列为发明人的第16/905,747号美国专利申请“形成微电子装置的方法及相关的微电子装置和电子系统(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATEDMICROELECTRONIC DEVICES AND ELECTRONIC SYSTEMS)”相关。本申请还与2020年6月18日提交的将Kunal R.Parekh列为发明人的第16/905,734号美国专利申请“形成微电子装置的方法及相关的微电子装置的基底结构(METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES,AND RELATED BASE STRUCTURES FOR MICROELECTRONIC DEVICES)”相关。以上文献中的每一个的公开内容全文以引用的方式并入本文中。

技术领域

在各种实施例中，本公开大体上涉及微电子装置设计和制造的领域。更确切地说，本公开涉及形成微电子装置的方法，且涉及相关的微电子装置和电子系统。

背景技术

微电子装置设计者通常希望通过减小个别特征的尺寸和通过减小相邻特征之间的分离距离来增大微电子装置内的特征的集成度或密度。此外，微电子装置设计者通常希望设计出不仅紧凑而且提供性能优点的架构，以及简化的、制造起来更容易更便宜的设计。