[发明专利]阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法在审
| 申请号： | 202110656600.3 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113373417A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 田修波;吴厚朴;巩春志 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司 23213 | 代理人： | 杨晓辉 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法，属于管件内壁薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有管筒件内壁镀膜工艺等离子体进入管筒件内部距离较短、等离子体密度低的问题。它包括：两个平面等离子体靶头分别置于管筒件的管头和管尾侧，并均与管筒件的端口正对；两个平面等离子体靶头、两个励磁线圈和管筒件等轴；两个平面等离子体靶头连接在同一个靶电源上或分别连接两个靶电源；连接在同一个靶电源上时，交替作为阴阳极，通过交替正负脉冲使一个靶头对另一个靶头放电；连接两个靶电源上时，交替作为辅助阳极，通过波形相位关系使一个靶头对真空室放电，另一个靶头作为辅助阳极。本发明用于对管筒件内壁进行镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 阴阳 极双靶头 优化 内壁 镀膜 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
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