[发明专利]阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置及其镀膜方法

权利要求书

1.阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，它包括真空室(1)、第一平面等离子体靶头(2)、第二平面等离子体靶头(5)、第一励磁线圈(3)、第二励磁线圈(7)和管筒件支架(4)；

第一平面等离子体靶头(2)、第二平面等离子体靶头(5)、第一励磁线圈(3)、第二励磁线圈(7)和管筒件支架(4)均置于真空室(1)内腔里，管筒件支架(4)置于真空室(1)内腔中部，管筒件支架(4)用于安装管筒件(6)，第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)分别置于管筒件(6)的管头和管尾侧，并均与管筒件(6)的端口正对，第一励磁线圈(3)安装在第一平面等离子体靶头(2)的后方，第二励磁线圈(7)安装在第二平面等离子体靶头(5)的后方；第一平面等离子体靶头(2)、第二平面等离子体靶头(5)、第一励磁线圈(3)、第二励磁线圈(7)和管筒件(6)等轴；

第一励磁线圈(3)和第二励磁线圈(7)分别连接有线圈电源，通过第一励磁线圈(3)和第二励磁线圈(7)产生的磁场对等离子体进行聚焦，推动等离子体进入管筒件(6)内部；

第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)连接在同一个靶电源上或分别连接两个靶电源；

当第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)连接在同一个靶电源上时，第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)交替作为阴阳极，通过交替正负脉冲使其中一个靶头对另一个靶头放电；

当第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)分别连接两个靶电源上时，第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)交替作为辅助阳极，通过波形的相位关系使得其中一个靶头对真空室(1)放电，另一个靶头作为放电靶头的辅助阳极。

2.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)采用磁控溅射等离子体源、多弧离子镀等离子体源或电子束离子源。

3.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述第一平面等离子体靶头(2)、第二平面等离子体靶头(5)、第一励磁线圈(3)、第二励磁线圈(7)和管筒件(6)之间的距离根据镀膜需要调节，通过调节第一平面等离子体靶头(2)、第二平面等离子体靶头(5)、第一励磁线圈(3)、第二励磁线圈(7)和管筒件(6)之间的距离控制管筒件(6)内等离子体的分布和密度。

4.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述第一励磁线圈(3)和第二励磁线圈(7)的线圈匝数根据镀膜需要调整，线圈电源根据镀膜需要调整，通过调整线圈电源的输出电流或第一励磁线圈(3)和第二励磁线圈(7)的线圈匝数控制磁场强度。

5.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述第一平面等离子体靶头(2)和第二平面等离子体靶头(5)的靶材根据镀膜需要选择，采用Cr靶、Cu靶、Ti靶或Ta靶。

6.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述管筒件(6)根据镀膜需要连接偏压电源，偏压电源采用直流偏压电源、脉冲偏压电源或射频电源。

7.根据权利要求1所述的阴阳极双靶头优化管内壁镀膜的镀膜装置，其特征在于，所述真空室(1)通过管道连接有工作气体系统，工作气体系统与真空室(1)之间的管道上设置有质量流量计。