[发明专利]一种铁电聚合物高精度微纳米结构的制备方法在审
申请号: | 202110653142.8 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN113571407A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 方回归;张雪峰;张鉴;陈迎鑫 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L51/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 何俊 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及有机材料的微纳功能化制备领域,针对铁电高分子纳米结构图案化后分辨率低的问题,提供一种铁电聚合物高精度微纳米结构的制备方法,包括以下步骤:a)将铁电高分子溶于有机溶剂中,配置成铁电高分子溶液;b)将铁电高分子溶液在硅片衬底均匀旋涂;c)旋涂后的样品结晶得旋涂铁电高分子薄膜;d)在旋涂铁电高分子薄膜的衬底上进行电子束曝光,显影后形成纳米结构。电子束曝光的精度可以达到纳米量级,电子束辐照引起铁电高分子的聚集态结构的改变,可以被显影,显影后被辐照的区域不被溶解,纳米区域得到保留,形成高分辨率的人工设计图案化效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚合物 高精度 纳米 结构 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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