[发明专利]一种低烧结温度高膝点磁场钐钴磁体的制备方法有效
| 申请号： | 202110651165.5 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113421760B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 王帅;胡季帆;雍辉;吴铭 | 申请（专利权）人： | 太原科技大学 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C22C1/04;C22C19/07;B22F1/00;B22F9/04;B22F3/02;B22F3/10;B22F3/24;B22F5/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 赵禛 |
| 地址： | 030024 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种低烧结温度高膝点磁场钐钴磁体的制备方法，属于磁性材料制备技术领域，本发明包括以下步骤：（1）制备粒径为0.4~2mm大小的合金颗粒A；（2）制备粒径为20~100μm的辅料粉末B；（3）合金颗粒A与辅料粉末B混粉后球磨制备钐钴合金粉末；（4）钐钴合金粉末经磁场取向成型，然后再进行冷等静压压制，制备出生坯；（5）生坯经烧结固溶和时效处理制备钐钴磁体。本发明可以有效降低钐钴磁体烧结温度，减少烧结过程中稀土的挥发损失，并且制备的烧结钐钴磁体晶界处有良好的胞状组织结构，磁体具有高膝点磁场（大于20kOe）。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 温度 高膝点 磁场 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
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